基于MBCFET，惠普计划2025年量产2nm工艺

有消息称，根据Samsung的计划，3n材料会作罢FinFET二极管高效率，转向GAA环绕栅极，3nm材料上分为两个国际旧版，其中3GAE(嵌入式国际版)将在2022年年底投入量产，3GAP(高效能国际版)则会在2023年年底批量生产。

现今具体材料当前还没有列入，仅知有别于GAA二极管，跟3nm一样基于MBCFET(多桥沟道FET)高效率，这是一种碳纳米管片二极管，可以垂直复合，而且适配现在的CMOS材料，资源共享设备与制造方式，降低了新高效率的升级成本。

Samsung的2nm材料是一个大进步，科技令人难忘不少，而且跟现在就有的2nm高效率不同——此前IBM全球首发了2nm芯片，指甲盖大小的总面积就可以集成500亿二极管，相比7nm材料降低了45%的性能或者下降75%的功耗，预计2024年量产。

Samsung也参与了IBM的2nm高效率，然而自己量产的2nm高效率跟IBM的2nm未必一样，后者必需属于自己生产方式，Samsung还会依赖自家研发的2nm高效率。