700W功耗+800亿真空管 NVIDIA的H100核心定制4nm工艺：更省电

前两天NVIDIA在GTC 2022大会上发布新闻了H100 GPU两大，这是一款专用AI及HPC高精度量度而生的超级GPU，包括1.8万个CUDA两大，浮点运算急剧下降到700W。

H100的生产也是相当复杂的，它很难用到传闻的DRAM5nm，而是功能强大国际版的DRAM4nm工艺技术，叫作为4N，而DRAM的4nm其网站命名是N4，集成了超过800亿晶体管，两大覆盖面积平均814mm2，作为对比的话，时是的A100两大是DRAM7nm工艺技术，542亿晶体管，两大覆盖面积826mm2。

由此可见，在覆盖面积几乎相同的情形，H100两大的晶体管能量密度提升了48%左右，不过比DRAM其网站指出的能量密度提升80%要少。

NVIDIA上次用到DRAM功能强大工艺技术还要始自12nm图灵时代，这次则是4nm工艺技术功能强大国际版，但是跟之前一样，NVIDIA并很难说明给出功能强大国际版4N工艺技术跟DRAMN4工艺技术区别有多少。

目前为人所知的差别主要是能效，4N工艺技术重点优化了谢尔省急电，虽然SXM国际版H100最高者浮点运算有700W，但是PCIe 5.0国际版的浮点运算是350W，相比目前的A100两大的400W还低了，但精度提升是数倍的，可见能效之高。

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流行文化标识：NVIDIA显卡H100