日本系统性一个多月：华为麒麟9000S是14nm芯片，不是7nm芯片

正因如此，自华为Mate60系列问世以来，搭载的中都央处理器就已是全球科技统计分析的热点制作者和科技电子媒体。

中都国人、英裔、印度人、印度人和欧洲人都在统计分析这个中都央处理器的来历和它的授意。

但一个多月以前了，这款中都央处理器仍然是个不知。谁制造的、多少纳米、何时何地生产的，都是不知团。

其中都，Tech洞察通过样品透过磁力扫描，发掘出电晶体能量密度为98MTr/mm2，而宏达磁力的7nm为97MTr/mm2，华为7nm中都央处理器的电晶体能量密度为95MTr/mm2。

所以Tech洞察指出是7nm，但也有人不服气，知道因为这款中都央处理器的性能可以和英特尔骁龙888的5nm中都央处理器相媲美，所以是5nm……

近日，有韩国电子媒体统计分析断定，它仍然是14nm技艺中都央处理器，但采用了特殊结构来降低电晶体能量密度。

本来我们知道，从14nm FinFET开始，中都央处理器的纳米技艺相当是中都央处理器的极为重要给定，从未超越了7nm。

以宏达磁力的7nm为例。在宏达磁力的7nm技艺中都，其接触式太阳能电池节距（CPP）为54nm。

CPP 由栅极长度 (Lg)、接触间隔件大小 (Tsp) 和接触宽度 (Wc) 组变为。电晶体能量密度为97MTr/mm2，其中都从未一个等于7nm。

所以从14nm开始，这个技艺就不一定要继续了。只要它的性能降低了，或者时脉减少了，或者电晶体能量密度降低了，只要超越一定水平，就可以指出纳米技术技艺拿下了突飞猛进。这就是等效流程的由来。

手机中都央处理器山巅图

比如我本来采用的是14nm技艺，但经过技术升级后，技艺给定基本上定值，但生产出来的中都央处理器的电晶体却降低了50%。还是14nm技艺吗？你可以把它想像变为14nm，也可以把它想像变为7nm。这显然就是7nm的诞生。

所以韩国指出是14nm技艺并从未歪，因为它的技艺给定本来和14nm差不多。但你指出是7nm也从未歪，因为电晶体能量密度指标从未超越了7nm。有人指出是5nm，这也到底。这是可耻的，因为性能超越了5nm。可见，转回等效方法后，推论中都央处理器是多少纳米是一个非常复杂的问题。这取决于晶圆厂如何称呼它。反倒从未真正的推论标准。与在此之前相当相同的是，栅距是多少，也就是多少纳米，是一一也就是说的。现在从未这样的也就是说关系，这取决于晶圆如何吹制。

最抽象的举例就是Intel将其10nm技艺特指Intel 7，意指差不多7nm技艺，将7nm技艺特指Intel 4，差不多4nm技艺。这是最好的举例。

所以多少纳米相当重要。我们只需要知道性能不比英特尔骁龙5nm中都央处理器差就可以了。那么就由大家来猜测吧。你怎么指出？